RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
58
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
58
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
1998
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link