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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
40
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
2708
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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