RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2878
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link