Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB

Note globale
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

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ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB

ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 38
    Autour de 26% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.8 left arrow 12.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.3 left arrow 9.0
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 38
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.9 left arrow 14.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.0 left arrow 9.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2112 left arrow 2303
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons