RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3204
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link