RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3295
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link