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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3525
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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