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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3596
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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