RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2755
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link