RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2910
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link