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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.8
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3773
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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