RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
28
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.7
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
20.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
19.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
4235
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link