RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3501
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link