RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2720
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparaison des RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link