RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2672
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link