RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
5.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
1806
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology C 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link