RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2382
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link