RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
58
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
2,107.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
2586
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link