RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
58
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
2690
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link