RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
58
Autour de -123% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
3437
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link