RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
58
Autour de -164% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
3192
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link