RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
58
Autour de -132% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
2,107.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
1617
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link