RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
58
Autour de -41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,107.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
41
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
2154
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link