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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
58
Autour de -123% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
2974
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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