RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
58
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
3866
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link