RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
58
Autour de -115% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
3029
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link