RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Comparez
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Note globale
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
34
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
23
Vitesse de lecture, GB/s
8.5
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3211
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link