RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB vs Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Note globale
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
34
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.9
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2812
3241
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB Comparaison des RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link