RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Note globale
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
34
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.9
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2812
2789
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link