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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3035
3256
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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