RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
126
Autour de 60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
126
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1108
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link