RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2706
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link