RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
51
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.8
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3583
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link