RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de -89% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2979
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-012.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link