RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
51
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3423
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link