RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
51
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
45
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link