RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3559
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link