RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
51
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3595
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link