RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3363
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link