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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
51
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
42
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2750
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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