RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2408
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link