RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2455
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link