RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2867
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link