RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
51
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
34
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3199
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link