RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de -89% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
23.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
19.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
4243
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link