RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3606
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link