RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
51
Autour de -168% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
19
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3310
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.8F1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link