RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
4156
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link