RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3117
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link