RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
12.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2653
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link